Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=321 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT0系列

Name: Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=321 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT0系列
Brand: Infineon
SKU: 351-906
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	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 321A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PG-HSOF-8
	系列 IPT0
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 165nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 10.58mm
	高度 1.3mm
	标准/认证 Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC
	宽度 10.1mm
	汽车标准否

该MOSFET是一款高功率N沟道晶体管，专为需要大电流能力和耐热性的高要求开关应用而设计。它可在宽温度范围内运行，并采用 8 针表面贴装封装，适用于紧凑型电源模块。该设备符合无卤素和 RoHS 标准，适用于需要稳健传导和开关性能的系统，无需汽车认证。

• 100V漏极耐压，支持高压开关
• 321A的连续漏极电流，支持重载运行
• 1.7mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 375W 功耗，可实现高热吞吐量
• 165nC 栅极电荷支持受控开关转换
• 1.2V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗

• 适用于高功率DC-DC转换器和变频器
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 与需要表面贴装MOSFET的电源模块配合使用
• 可用于服务器和电信配电
• 适用于可再生电源系统中的能量转换

该器件采用 PG-HSOF-8 表面贴装封装，在焊接到大铜区域或专用电子散热器平面时，可实现低电感布局并改善传热。

鉴于栅源极最大额定电压为 20V，在选择栅极驱动器时，应确保其工作电压不超过该限值，同时又能提供足够的驱动能力，以在导通期间实现低导通电阻。

该元件的规格为可在-55°C至175°C的温度范围内工作，允许在暴露于极端环境温度或高结温的系统中使用。

该器件未按汽车行业标准进行分级，因此不应将其指定用于强制要求汽车级认证的场合。

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