Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 243 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT023N10NM5LF2ATMA1, IPT0系列
- RS 库存编号:
- 351-908
- 制造商零件编号:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB36.19 | RMB72.38 |
| 20 - 198 | RMB32.59 | RMB65.18 |
| 200 - 998 | RMB30.06 | RMB60.12 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-908
- 制造商零件编号:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 243A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPT0 | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 144nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| 高度 | 2.40mm | |
| 长度 | 10.58mm | |
| 宽度 | 10.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 243A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPT0 | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 144nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
高度 2.40mm | ||
长度 10.58mm | ||
宽度 10.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
Infineon OptiMOS 5 线性 FET 2 技术可出色地平衡导通电阻和线性模式能力。与 TOLL 封装相结合，IPT023N10NM5LF2 适用于浪涌电流保护，例如电池管理系统 (BMS) 中的热插拔、电子保险丝和电池保护。
宽安全工作区 (SOA)
低 RDS(on)
与线性 FET 相比，IGSS 更低
优化了传输特性