Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 151 A, PG-WHSON-8, 表面安装, 8引脚, IQD063N15NM5SCATMA1, IQD0系列
- RS 库存编号:
- 351-914
- 制造商零件编号:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB46.355 | RMB92.71 |
| 20 - 198 | RMB41.735 | RMB83.47 |
| 200 - 998 | RMB38.475 | RMB76.95 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-914
- 制造商零件编号:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PG-WHSON-8 | |
| 系列 | IQD0 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.32mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PG-WHSON-8 | ||
系列 IQD0 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.32mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | ||
长度 5mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 6 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 功率 MOSFET 具有 6.32mOhm 的低 RDS(on) 和卓越的散热性能，可轻松进行功耗管理。此外，与包覆成型封装相比，双面冷却封装可消散五倍以上的功率。这可为各种终端应用提供更高的系统效率和功率密度。
出色的 150V 硅技术
卓越的品质因数 (FOM)
改进的热性能
超低寄生
最大化芯片或封装比