Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2000 V, Id=375 A, ag- EASY2B, F3L6MR系列

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RS 库存编号:
351-915
制造商零件编号:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

375A

最大漏源电压 Vd

2000V

包装类型

ag- EASY2B

系列

F3L6MR

安装类型

通孔

最大漏源电阻 Rd

7.8mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

20mW

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

6.15V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

62.8mm

高度

12.255mm

宽度

48mm

标准/认证

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

汽车标准

否

Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3 级模块 2000V、6mΩ，配备 NTC 温度传感器、Press FIT 触点技术和氮化铝陶瓷。

模块杂散电感极低

按压式 FIT 销

集成式 NTC 温度传感器

宽栅源电压范围

低开关和传导损耗

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