Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 150 A, ag- EASY2B, 通孔安装, FF6MR20W2M1HB70BPSA1, FF6MR系列
- RS 库存编号:
- 351-916
- 制造商零件编号:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-916
- 制造商零件编号:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | ag- EASY2B | |
| 系列 | FF6MR | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 12.255mm | |
| 长度 | 62.8mm | |
| 标准/认证 | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| 宽度 | 48 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 ag- EASY2B | ||
系列 FF6MR | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 12.255mm | ||
长度 62.8mm | ||
标准/认证 IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
宽度 48 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 半桥模块 2000V、6mΩ，配备 NTC 温度传感器、Press FIT 触点技术和氮化铝陶瓷。
杰出封装，高度为 12mm
先进的宽带隙 (WBG) 材料
模块杂散电感极低
按压式 FIT 销
集成式 NTC 温度传感器
宽栅源电压范围
低开关和传导损耗