Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=69 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列
- RS 库存编号:
- 351-924
- 制造商零件编号:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 351-924
- 制造商零件编号:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 69A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-U07 | |
| 系列 | IMZC120 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 382W | |
| 正向电压 Vf | 5.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 89nC | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 宽度 | 16mm | |
| 长度 | 23.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 69A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 PG-TO-247-4-U07 | ||
系列 IMZC120 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 382W | ||
正向电压 Vf 5.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 89nC | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
宽度 16mm | ||
长度 23.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IMZC120系列MOSFET，1200V漏源电压，69A最大连续漏极电流 - IMZC120R017M2HXKSA1
这款高压N沟道增强型MOSFET专为严苛电子系统中的电源开关应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于通孔板组装，为工业环境和电力转换环境提供强大的高压处理能力和强大的连续电流能力。
特性和优点：
• 1200V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 69A的连续漏极电流，支持重载运行
• 45mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 382W最大耗散功率，支持高功率处理
• 89nC典型栅极电荷，优化了开关性能
• 25V的VGS限制，确保栅极驱动的兼容性与保护
• 69A的连续漏极电流，支持重载运行
• 45mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 382W最大耗散功率，支持高功率处理
• 89nC典型栅极电荷，优化了开关性能
• 25V的VGS限制，确保栅极驱动的兼容性与保护
应用
• 适用于高压变频器和转换器级应用
• 适用于工业电机驱动功率级
• 用于需要高功耗处理能力的市电侧电源
• 可用于开关模式电源的一次侧开关
• 适用于可再生能源变频器和储能系统
• 适用于工业电机驱动功率级
• 用于需要高功耗处理能力的市电侧电源
• 可用于开关模式电源的一次侧开关
• 适用于可再生能源变频器和储能系统
哪种封装方式便于安装和散热？
该元件采用四针PG-TO-247-4-U07通孔封装，简化了PCB安装，并能可靠地固定在电子散热器上以实现热管理。
它在极端温度条件下的表现如何？
其额定工作温度范围为 -55°C 至 200°C，适用于温度波动剧烈及结温较高的环境。
关于栅极控制，有哪些关于驱动装置的考量因素？
关于 89nC 典型栅极电荷，所选用的栅极驱动器必须能够提供和吸入足够的电流以满足预期的开关速度，同时确保不超过 25V 的栅源极最大额定电压。
是否引用了公认的制造标准或测试标准？
该器件符合 JEDEC47/20/22 标准关于组件评估相关认证与测试方法的要求。
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