Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 80 A, PG-TO-247-4-U07, 通孔安装, 4引脚, IMZC120R022M2HXKSA1, IMZC120系列
- RS 库存编号:
- 351-925
- 制造商零件编号:
- IMZC120R022M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 351-925
- 制造商零件编号:
- IMZC120R022M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | IMZC120 | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-U07 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 5.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 71nC | |
| 最大功耗 Pd | 329W | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 长度 | 23.5mm | |
| 宽度 | 16 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 IMZC120 | ||
包装类型 PG-TO-247-4-U07 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 5.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC | ||
最大功耗 Pd 329W | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
长度 23.5mm | ||
宽度 16 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 分立式 1200V、22mΩ G2 采用 TO-247 4 针，具有高爬电封装，在第 1 代技术优势的基础上进行了重大改进，可为成本更优化、效率更高、结构更紧凑、更易于设计和更可靠的系统提供先进的解决方案。对于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合，它在硬开关操作和软开关拓扑中都有更好的性能。
短路耐受时间 2μs
基准栅极阈值电压 4.2V
抗寄生导通能力强
开关损耗极低
更严格的 VGS(th) 参数分布