Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=55 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列

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351-928
制造商零件编号:
IMZC120R034M2HXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

1.2kV

系列

IMZC120

包装类型

PG-TO-247-4-U07

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

89mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

25V

最大功耗 Pd

244W

最高工作温度

200°C

长度

23.1mm

宽度

15.6mm

标准/认证

JEDEC47/20/22

汽车标准

否

Infineon IMZC120系列MOSFET，最大功耗244W，最大漏源电压1200V - IMZC120R034M2HXKSA1


该MOSFET是一款高压开关晶体管，专为严苛工业环境中的电源转换与控制而设计。它是一款增强型N沟道器件，旨在处理较高的漏源电压和较大的连续电流，因此适用于需要稳健的高压开关和耐热性能的场合。

特性和优点：


• 1200V Vds支持高压系统应用
• 55A 持续漏极电流，支持重载开关
• 89mΩ导通电阻，降低了工作期间的导通损耗
• 244W功耗，支持持续的热通量
• 45nC典型栅极电荷，提升了开关速度控制能力

应用


• 适用于工业驱动中的高压变频器级应用
• 适用于需要高压开关的电源
• 用于需要大电流处理能力的大功率电机控制器
• 可用于转换器中的硬开关拓扑

它采用哪种封装和安装方式进行组装？


它采用 PG-TO-247-4-U07 封装，配置为通孔安装，便于牢固连接电路板并与电子散热器实现可靠的热连接。

它在运行时能够耐受的温度范围是多少？


它的工作温度范围宽达-55°C至200°C，允许在极端高温条件及高结温下使用。

有多少个引脚？这在电气方面意味着什么？


该器件具有四个引脚，可容纳栅极、漏极和双源极或凸片布局，这是功率MOSFET封装的典型特征，便于实现灵活的电路集成。

哪些行业标准测试适用于其认证？


它符合 JEDEC47/20/22 标准，表明其符合既定的热和机械可靠性测试协议。

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