Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=1200V, 38A, PG-TO247-4-U07, 通孔安装, 4引脚, IMZC120系列
- RS 库存编号:
- 351-931
- 制造商零件编号:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-931
- 制造商零件编号:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 38A | |
| 最大漏源电压 | 1200V | |
| 封装类型 | PG-TO247-4-U07 | |
| 系列 | IMZC120 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 38A | ||
最大漏源电压 1200V | ||
封装类型 PG-TO247-4-U07 | ||
系列 IMZC120 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 分立式装置采用高爬电封装，在第 1 代技术优势的基础上进行了重大改进，可为成本更优化、效率更高、结构更紧凑、更易于设计和更可靠的系统提供先进的解决方案。对于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合，它在硬开关操作和软开关拓扑中都有更好的性能。
能效更高
冷却优化
高功率密度
新的稳健性特征
高度可靠
可轻松并联
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高功率密度
新的稳健性特征
高度可靠
可轻松并联