Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 82 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IMLT65R026M2HXTMA1, IMLT65系列
- RS 库存编号:
- 351-947
- 制造商零件编号:
- IMLT65R026M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 351-947
- 制造商零件编号:
- IMLT65R026M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 输出功率 | 365W | |
| 系列 | IMLT65 | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 宽度 | 10.3 mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
输出功率 365W | ||
系列 IMLT65 | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
宽度 10.3 mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
高度 2.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
采用 TOLT 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET 第 2 代 (G2) 分立式装置充分利用 G2 杰出的开关性能，同时可实现顶部冷却的所有优势。作为对 Q-DPAK 封装的补充，它现在可以实施整体分立式顶部冷却解决方案，从而获得更好的散热性能、降低和简化系统成本，并且组装成本更低。
可节省 BOM
最高可靠性
可实现最高效率和功率密度
可简化装配和冷却
支持液冷
支持无风扇或电子散热器设计
杂散电感更低
更好的栅极控制