Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650V, 130A, PG-TO247-3, 通孔安装, 3引脚, IMW65系列
- RS 库存编号:
- 351-950
- 制造商零件编号:
- IMW65R010M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 351-950
- 制造商零件编号:
- IMW65R010M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 130A | |
| 最大漏源电压 | 650V | |
| 系列 | IMW65 | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 130A | ||
最大漏源电压 650V | ||
系列 IMW65 | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用 TO-247-3 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET G2 以第 1 代技术的优势为基础，能够加速系统设计，提供成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合。
可节省 BOM
最高可靠性
可实现最高效率和功率密度
易于使用
可与现有供应商全面兼容
支持无风扇或电子散热器设计
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