Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34.9 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, IMBG65R060M2H, IMBG65系列
- RS 库存编号:
- 351-959
- 制造商零件编号:
- IMBG65R060M2H
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-959
- 制造商零件编号:
- IMBG65R060M2H
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 输出功率 | 148W | |
| 系列 | IMBG65 | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34.9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
输出功率 148W | ||
系列 IMBG65 | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 9.45 mm | ||
高度 4.5mm | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
采用 D2PAK-7 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET G2 以第 1 代技术的优势为基础，能够加速系统设计，提供成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合。
可节省 BOM
最高可靠性
可实现最高效率和功率密度
易于使用
可与现有供应商全面兼容
支持无风扇或电子散热器设计