Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IGT65R055D2ATMA1, IGT65系列
- RS 库存编号:
- 351-966
- 制造商零件编号:
- IGT65R055D2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-966
- 制造商零件编号:
- IGT65R055D2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IGT65 | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.066Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 106W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -10 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IGT65 | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.066Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最大功耗 Pd 106W | ||
最大栅源电压 Vgs -10 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolGaN 是一款专为功率转换而设计的高效氮化镓 (GaN) 晶体管。它可实现更高的功率密度、支持降低系统 BOM 成本，并有利于实现小型化外形尺寸。它采用晶圆技术和全自动生产线生产，具有小生产公差和高产品质量。因此，它适用于从消费电子产品到工业应用的广泛领域。
增强型晶体管
超快开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极和输出电荷
卓越的换向稳健性