Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=70 A, 8针, PG-HSOF-8, IGT65系列

RS 库存编号:: 351-969
制造商零件编号:: IGT65R025D2ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=70 A, 8针, PG-HSOF-8, IGT65系列

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制造商零件编号:: IGT65R025D2ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	IGT65
	包装类型	PG-HSOF-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.03Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	236W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 IGT65
	包装类型 PG-HSOF-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.03Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 236W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Datasheet - IGT65R025D2ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGT65系列MOSFET，650V漏源电压，70A连续漏极电流 - IGT65R025D2ATMA1

这款MOSFET是一款专为严苛工业环境设计的高压开关晶体管。它在宽温范围内工作，并采用适合紧凑型电路板的表面贴装封装。该器件适用于需要高电压耐受能力和强大持续电流处理能力的电源转换和开关场景。

特性和优点：

• 漏极耐压 650V，适用于高压开关应用
• 70A连续漏极电流能力，适用于持续负载处理
• 0.03Ω导通电阻，可降低导通损耗
• 236W最大功耗提供散热余量
• 典型栅极电荷为11nC，可实现更快的开关转换
• 10V栅极额定值，兼容标准栅极驱动电压

应用

• 适用于工业开关电源和变频器
• 适用于高压系统的电机控制级应用
• 与高压DC-DC转换器配合使用以进行能量转换
• 可用于电力电子领域的硬开关拓扑结构
• 适用于电信电力分配和辅助电源

采用哪种封装方式？对电路板组装有何影响？

该器件采用PG-HSOF-8表面贴装封装，有助于自动化回流焊和紧凑的PCB布局，同时提供多个散热和导电引脚。

为实现可靠运行，应考虑哪些栅极驱动因素？

将栅极驱动电压保持在±10V以内，并提供低阻抗返回路径，以最小化开关瞬变，确保可预测的开通和关断时序。

温度范围对于部署位置有何影响？

额定工作温度范围为-55°C 至 150°C，既适用于冷启动环境，也能安装在高温工业外壳内，且不会影响基本的开关性能。

对于连续运行，推荐使用哪些热管理策略？

应在封装下方使用充足的铜箔面积或专用散热结构，确保采用良好的PCB热过孔设计，并考虑气流状况，以将结温保持在安全限值范围内。