Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=76 A, 6针, PG-VSON-6, IGC033系列

RS 库存编号:: 351-970
制造商零件编号:: IGC033S101XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=76 A, 6针, PG-VSON-6, IGC033系列

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RS 库存编号:: 351-970
制造商零件编号:: IGC033S101XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	76A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PG-VSON-6
	系列	IGC033
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	3.3mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11nC
	最大功耗 Pd	45W
	最低工作温度	-40°C
	最大栅源电压 Vgs	5.5V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 76A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PG-VSON-6
	系列 IGC033
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC
	最大功耗 Pd 45W
	最低工作温度 -40°C
	最大栅源电压 Vgs 5.5V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC
	汽车标准否

Datasheet - IGC033S101XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGC033系列MOSFET，100V漏源电压，76A连续漏极电流 - IGC033S101XTMA1

该MOSFET是一款P‑沟道增强型器件，适用于表面‑贴装设计中的功率开关应用。它可在宽温度范围内工作，并符合JEDEC‑标准，适用于需要紧凑型封装集成的大‑电流应用。

特性和优点：

• 导通电阻低至3.3mΩ，可降低导通损耗
• 能够承受 76A 的连续漏极电流，适用于重负载应用
• 100V漏‑源极额定值，用于高压开关
• 45W最大功耗提供散热余量
• 典型栅极电荷为11nC，可实现高效栅极驱动
• 表面贴装PG‑VSON‑6封装，可实现空间高效的‑布局

应用

• 适用于电源同步整流
• 适用于大‑电流 DC-DC 转换级应用
• 用于需要紧凑型开关的电机控制器
• 可用于服务器和电信配电
• 兼容工业设备的电池管理系统

在设计中，我应考虑哪些栅极驱动相关的因素？

该器件的典型栅极电荷为11nC，因此，栅极驱动器必须提供充足的峰值电流以实现所需的开关速度，同时控制dV/dt以限制EMI。

热性能对于PCB布局有何影响？

建议采用45W的功耗上限、热过孔以及铜散热片来管理结温，尤其是在高持续电流的情况下。

栅极有哪些电压和极性限制？

最大‑栅‑源额定电压为5.5V，因此，栅极驱动不得超过此差值，以避免器件受损。

部署是否有环境限制？

该器件的额定工作温度范围为-40°C至150°C，因此元件选择和热设计应满足该范围，以确保可靠运行。