Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 76 A, PG-VSON-6, 表面安装, 6引脚, IGC033S101XTMA1, IGC033系列

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RS 库存编号:
351-970
制造商零件编号:
IGC033S101XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

76A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PG-VSON-6

系列

IGC033

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

3.3mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

45W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

5.5 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolGaN 晶体管是一款常闭电子模式功率晶体管,采用小型 PQFN 3x5 封装,可实现高功率密度设计。它的导通电阻很低,是在要求严苛的高压和高电流应用中实现可靠性能的理想选择。

出色的功率密度

高效率

改进了热管理

可实现更小、更轻的设计

出色的可靠性

可降低 BOM 成本