Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 170 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, IMBG65R009M1HXTMA1, IMBG65系列
- RS 库存编号:
- 351-987
- 制造商零件编号:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 351-987
- 制造商零件编号:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 170A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 输出功率 | 555W | |
| 系列 | IMBG65 | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 170A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
输出功率 555W | ||
系列 IMBG65 | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 9.45 mm | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
高度 4.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC 采用固体碳化硅技术制造。它利用宽带隙碳化硅材料特性，提供性能、可靠性和易用性的独特组合。它适用于高温和严苛操作，能够以简化且经济的方式实现高系统效率。
优化了更高电流下的开关性能
具有低 Qfr 的可靠换向快速体二极管
卓越的栅极氧化物可靠性
增强雪崩能力
与标准驱动程序兼容