Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=163 A, 4针, PG-TO247-4, AIMZA75系列

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RS 库存编号:
351-988
制造商零件编号:
AIMZA75R008M1HXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

163A

最大漏源电压 Vd

750V

包装类型

PG-TO247-4

系列

AIMZA75

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

14.0mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

178nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

517W

正向电压 Vf

5.3V

最大栅源电压 Vgs

23V

最高工作温度

175°C

长度

21.1mm

高度

5.1mm

宽度

15.9mm

标准/认证

AEC Q101

汽车标准

AEC-Q101

Infineon CoolSiC 汽车 MOSFET 采用固体碳化硅技术制造。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，并具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。

出色的硬切换效率

可实现更高的开关频率

更高的可靠性

抗寄生导通能力强

单极驱动

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