Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=750 V, 163 A, PG-TO247-4, 表面安装, 4引脚, AIMZA75R008M1HXKSA1, AIMZA75系列
- RS 库存编号:
- 351-988
- 制造商零件编号:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 351-988
- 制造商零件编号:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 163A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | AIMZA75 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 5.3V | |
| 最大功耗 Pd | 517W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 21.1mm | |
| 标准/认证 | AEC Q101 | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 163A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 AIMZA75 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 14.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 5.3V | ||
最大功耗 Pd 517W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 21.1mm | ||
标准/认证 AEC Q101 | ||
高度 5.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
Infineon CoolSiC 汽车 MOSFET 采用固体碳化硅技术制造。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，并具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。
出色的硬切换效率
可实现更高的开关频率
更高的可靠性
抗寄生导通能力强
单极驱动