STMicroelectronics N-通道 N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 55 A, TO-LL, 表面安装, 8引脚, STO60N045DM9, STO60系列
- RS 库存编号:
- 358-979
- 制造商零件编号:
- STO60N045DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 358-979
- 制造商零件编号:
- STO60N045DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 工作频率 | 1 MHz | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 输出功率 | 255W | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | STO60 | |
| 包装类型 | TO-LL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 11.88mm | |
| 宽度 | 10 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
工作频率 1 MHz | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
输出功率 255W | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 STO60 | ||
包装类型 TO-LL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.4mm | ||
长度 11.88mm | ||
宽度 10 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超结 MDmesh DM9 技术，适用于中/高压 MOSFET。硅基 DM9 技术受益于多漏极制造工艺，可增强设备结构。该二极管具有极低的恢复电荷 (Qrr)、时间 (trr) 和 RDS(on)，这款快速开关超结功率 MOSFET 因此适用于最严苛的高效桥拓扑和 ZVS 相移转换器。
快速恢复本体二极管
极低的 FOM
低输入电容和电阻
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度