STMicroelectronics N-通道 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 672 A, PowerLeaded, 表面安装, 4引脚, STK615N4F8AG, STK615系列
- RS 库存编号:
- 358-981
- 制造商零件编号:
- STK615N4F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥26.27
(不含税)
¥29.69
(含税)
有库存
- 300 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB26.27 |
| 10 - 99 | RMB23.64 |
| 100 - 499 | RMB21.79 |
| 500 - 999 | RMB20.24 |
| 1000 + | RMB16.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 358-981
- 制造商零件编号:
- STK615N4F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 工作频率 | 1 MHz | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 672A | |
| 输出功率 | 390W | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | STK615 | |
| 包装类型 | PowerLeaded | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.85mm | |
| 长度 | 8.15mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 宽度 | 8.15 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
工作频率 1 MHz | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 672A | ||
输出功率 390W | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 STK615 | ||
包装类型 PowerLeaded | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.85mm | ||
长度 8.15mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
宽度 8.15 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅结构。它可确保先进的品质因数，实现极低的通态电阻，同时减少内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
符合 AEC Q101 标准
MSL1 等级
175℃ 最高工作结温
100% 通过雪崩测试