制造商编号

STMicroelectronics N-通道 N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 672 A, PowerLeaded, 表面安装, 4引脚, STK615N4F8AG, STK615系列

RS 库存编号:: 358-981
制造商零件编号:: STK615N4F8AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-通道 N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 672 A, PowerLeaded, 表面安装, 4引脚, STK615N4F8AG, STK615系列

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RS 库存编号:: 358-981
制造商零件编号:: STK615N4F8AG
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	672A
	最大漏源电压 Vd	40V
	输出功率	390W
	系列	STK615
	包装类型	PowerLeaded
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	晶体管配置	N-通道
	最高工作温度	175°C
	高度	1.85mm
	标准/认证	AEC-Q101
	长度	8.15mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 672A
	最大漏源电压 Vd 40V
	输出功率 390W
	系列 STK615
	包装类型 PowerLeaded
	安装类型表面
	引脚数目 4
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	晶体管配置 N-通道
	最高工作温度 175°C
	高度 1.85mm
	标准/认证 AEC-Q101
	长度 8.15mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - STK615N4F8AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics N 通道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅结构。它可确保先进的品质因数，实现极低的通态电阻，同时减少内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。

符合 AEC Q101 标准

MSL1 等级

175℃ 最高工作结温

100% 通过雪崩测试

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