STMicroelectronics MOSFET, Vds=1200 V, 55 A, H2PAK-7, 表面安装, SCT系列, SCT025H120G3-7
- RS 库存编号:
- 365-165
- 制造商零件编号:
- SCT025H120G3-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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¥171,545.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB171.545 | RMB171,545.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 365-165
- 制造商零件编号:
- SCT025H120G3-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | SCT | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 SCT | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
符合 AEC-Q101 标准
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
源传感引脚，提高效率