STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 通孔安装, 4引脚, SCT040W65G3-4, SCT系列

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制造商零件编号:
SCT040W65G3-4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

工作频率

1 MHz

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

650V

输出功率

240W

系列

SCT

安装类型

通孔

引脚数目

4

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

高度

5.1mm

标准/认证

RoHS

宽度

15.9 mm

长度

20.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备采用 ST 先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有极低的 RDS(on),同时具有低电容和极高的开关操作性能,从而提高了频率、能效、系统尺寸和减重方面的应用性能。

整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

极高的工作结温能力

源传感插针,效率更高