STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 通孔安装, 4引脚, SCT040W65G3-4, SCT系列
- RS 库存编号:
- 366-221
- 制造商零件编号:
- SCT040W65G3-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 366-221
- 制造商零件编号:
- SCT040W65G3-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 工作频率 | 1 MHz | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 输出功率 | 240W | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SCT | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
工作频率 1 MHz | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
输出功率 240W | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SCT | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 20.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
高度 5.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备采用 ST 先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)，同时具有低电容和极高的开关操作性能，从而提高了频率、能效、系统尺寸和减重方面的应用性能。
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
极高的工作结温能力
源传感插针，效率更高