Starpower 单开关沟道 N型 无二极管的 SiC MOSFET, Vds=1200 V, 64 A, 带装和卷装, 通孔安装, 4引脚, DM400S12TDRB, DOSEMI系列
- RS 库存编号:
- 427-757
- 制造商零件编号:
- DM400S12TDRB
- 制造商:
- Starpower
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- RS 库存编号:
- 427-757
- 制造商零件编号:
- DM400S12TDRB
- 制造商:
- Starpower
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Starpower | |
| 槽架类型 | 单开关 | |
| 产品类型 | 无二极管的 SiC MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 系列 | DOSEMI | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 268W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 3.85V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Starpower | ||
槽架类型 单开关 | ||
产品类型 无二极管的 SiC MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
系列 DOSEMI | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 55.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 268W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86.6nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 3.85V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Starpower MOSFET 功率分离提供超低导电损耗以及低切换损耗。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。
SiC 功率 MOSFET
低导通电阻 RDS(on)
低电感外壳可防止振荡
rohs