onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=12 A, 3针, TO-252, NTD2955系列

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包装方式:
RS 库存编号:
463-038
制造商零件编号:
NTD2955T4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

NTD2955

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.25V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最大功耗 Pd

55W

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

高度

2.38mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor


MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


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