STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 51 A, H2PAK-7, 贴片安装, 7引脚, STH65N系列
- RS 库存编号:
- 481-127
- 制造商零件编号:
- STH65N050DM9-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 1000 件）*
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB44.582 | RMB44,582.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 481-127
- 制造商零件编号:
- STH65N050DM9-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | H2PAK-7 | |
| 系列 | STH65N | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 H2PAK-7 | ||
系列 STH65N | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体 N 沟道功率 MOSFET 采用先进的超级结 MDmesh DM9 技术，专为中高压应用而设计。它具有极低的单位面积 RDS(on)和快速恢复二极管，是高效开关的理想之选。DM9 硅技术采用多漏制造工艺，可增强器件结构和性能。这款 MOSFET 具有极低的恢复电荷 (Qrr)、快速恢复时间 (trr) 和低 RDS(on)，可优化用于要求苛刻的桥式拓扑结构和 ZVS 相移转换器。
低栅极电荷和电阻
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
额外的驱动源引脚带来出色的开关性能
符合 AEC-Q101 标准
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
额外的驱动源引脚带来出色的开关性能
符合 AEC-Q101 标准