STMicroelectronics N-通道 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 54 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, STHU60系列
- RS 库存编号:
- 481-132
- 制造商零件编号:
- STHU60N046DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥71.00
(不含税)
¥80.23
(含税)
有库存
- 另外 300 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB71.00 |
| 10 - 49 | RMB57.51 |
| 50 - 99 | RMB44.03 |
| 100 + | RMB39.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 481-132
- 制造商零件编号:
- STHU60N046DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 系列 | STHU60 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 宽度 | 14.1 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 长度 | 11.9mm | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 54A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 HU3PAK | ||
系列 STHU60 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
宽度 14.1 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
长度 11.9mm | ||
高度 3.6mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
意法半导体 N 沟道功率 MOSFET 采用先进的超级结 MDmesh DM9 技术，专为中高压应用而设计。它的单位面积 RDS(on) 非常低，并集成了一个快速恢复二极管。DM9 技术采用多漏极制造工艺，以增强器件结构和性能。这款快速开关 MOSFET 具有低恢复电荷 (Qrr)、快恢复时间 (trr) 和低 RDS(on)，是高效桥式拓扑结构和 ZVS 移相转换器的理想之选。
低栅极电荷和电阻
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
额外的驱动源引脚带来出色的开关性能
符合 AEC-Q101 标准