STMicroelectronics N-通道 N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 51 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, STHU65系列
- RS 库存编号:
- 481-135
- 制造商零件编号:
- STHU65N050DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 481-135
- 制造商零件编号:
- STHU65N050DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 系列 | STHU65 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 11.9mm | |
| 宽度 | 14.1 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 HU3PAK | ||
系列 STHU65 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 11.9mm | ||
宽度 14.1 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
高度 3.6mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
意法半导体的 N 沟道功率 MOSFET 采用最先进的超结 MDmesh DM9 技术，是中高压应用的理想之选。它具有超低的单位面积 RDS(on)，并集成了一个快速恢复二极管。先进的硅基 DM9 工艺采用多漏极结构，提高了器件的整体性能。这款快速开关 MOSFET 具有极低的恢复电荷 (Qrr)、较短的恢复时间 (trr) 和最小的 RDS(on)，非常适合高效桥式拓扑结构和 ZVS 移相转换器。
低栅极电荷和电阻
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
额外的驱动源引脚带来出色的开关性能
符合 AEC-Q101 标准