Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 60 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB4332PBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 495-562
- 制造商零件编号:
- IRFB4332PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥23.30
(不含税)
¥26.33
(含税)
有库存
- 1,801 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB23.30 |
| 5 - 9 | RMB22.89 |
| 10 - 19 | RMB22.32 |
| 20 - 39 | RMB21.76 |
| 40 + | RMB21.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 495-562
- 制造商零件编号:
- IRFB4332PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 99nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 390W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 99nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 390W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.82 mm | ||
高度 9.02mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.66mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，60A 最大连续漏极电流，390W 最大功率耗散 - IRFB4332PBF
这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。它采用先进的 HEXFET 技术，可确保在关键环境中实现最佳效率和可靠性。该设备规格坚固，设计方便用户使用，适用于各种工业应用。它能在严格的条件下有效运行，符合现代电子系统的要求。
特点和优势
• N 沟道配置支持高效电流流动
• 连续漏极电流额定值为 60A，性能强劲
• 高达 250V 的高电压容量增强了多功能性
• 低导通电阻可提高效率并最大限度地减少发热量
• 增强模式运行可提高数字应用的稳定性
• 高功率耗散能力有助于提高负载下的可靠性
应用
• 应用于能源回收系统以提高效率
• 适用于通行开关 空间有限
• 用于等离子显示面板以提高性能
• 适用于需要持续大电流的自动化控制装置
最佳运行的温度范围是多少？
该设备可在 -40°C 至 +175°C 的温度范围内有效运行，因此可在各种环境条件下工作。
栅极阈值电压对性能有何影响？
它的阈值电压介于 3V 和 5V 之间，可在开关应用中实现精确控制。
它能处理高脉冲电流吗？
是的，该设计可容纳脉冲漏极电流，在特定条件下可达到 230A，这对瞬态应用非常有利。
有哪些热管理要求？
考虑到最大功率耗散为 390 瓦，为保持最佳性能，应采取适当的冷却措施。
是否与各种安装配置兼容？
TO-220AB 封装允许直接通孔安装，提高了多种电路设计的兼容性。