Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 495-578
- 制造商零件编号:
- IRFB4110PBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRFB4110PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 个月 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 370000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 4.5 个月 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 370000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.82mm | ||
长度 10.66mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
高度 9.02mm | ||
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，370W 最大功率耗散 - IRFB4110PBF
这款 MOSFET 是专为自动化、电子和电气行业应用量身定制的高效功率晶体管。其坚固的结构和精确的规格为那些对效率和可靠性要求极高的应用提供了多功能解决方案。它采用增强模式设计和 N 沟道配置，适用于高速开关操作。
特点和优势
• 最大 180A 连续漏极电流支持高性能
• 漏极至源极电压范围为 100V，可满足各种应用需求
• 4.5mΩ 的低 RDS（on）降低了功率损耗，提高了效率
• 功率耗散能力高达 370 瓦，确保了稳定性
• 改进的热特性提高了极端条件下的可靠性
• 对雪崩和动态 dv/dt 强度的全面鉴定提高了耐用性
• 漏极至源极电压范围为 100V，可满足各种应用需求
• 4.5mΩ 的低 RDS（on）降低了功率损耗，提高了效率
• 功率耗散能力高达 370 瓦，确保了稳定性
• 改进的热特性提高了极端条件下的可靠性
• 对雪崩和动态 dv/dt 强度的全面鉴定提高了耐用性
应用
• 用于电源的高效同步整流
• 适用于不间断供电系统
• 高速功率开关电路的理想选择
• 适用于硬开关和高频电路
• 适用于不间断供电系统
• 高速功率开关电路的理想选择
• 适用于硬开关和高频电路
要达到最佳性能，适合的工作温度范围是多少？
它能在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，确保在各种环境下都能正常工作。
MOSFET 如何将电路中的能量损失降至最低？
4.5mΩ 的低 RDS(on)大大降低了传导损耗，可在电力电子设备中高效运行。
它能用于高频应用吗？
是的，它的设计有利于高速开关，适合需要快速开关转换的应用。
正确安装的热阻值是多少？
结到外壳的热阻为 0.402°C/W，外壳到散热器的热阻为 0.50°C/W，从而实现了有效散热。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。