Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 160 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
RS 库存编号:
495-760
制造商零件编号:
IRLU8743PBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

160 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

IPAK (TO-251)

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.35V

最小栅阈值电压

1.35V

最大功率耗散

135000 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

39 nC @ 4.5 V

长度

6.73mm

每片芯片元件数目

1

宽度

2.39mm

正向二极管电压

1V

高度

6.22mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，160A 最大连续漏极电流，135W 最大功率耗散 - IRLU8743PBF


这款 MOSFET 是一款增强型器件，专为高效开关应用而设计。它采用先进技术，在高频操作中表现出色，适用于各种工业场景中的电源管理。它的规格令人印象深刻，能有效管理大电流负载，同时保持低电阻，确保在各种条件下的性能。

特点和优势


• 低导通电阻可减少运行时的功率损耗
• 160A 的高连续漏极电流可支持大量负载
• 电压范围高达 30V，便于各种应用
• 采用 IPAK TO-251 封装，可直接安装
• 完全特性化的雪崩能力提高了运行可靠性

应用


• 高频同步降压转换器
• 工业环境中的隔离式直流-直流转换器
• 计算机处理器电源管理系统
• 大电流电源

它在高温环境下的性能如何？


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可确保在极端条件下保持稳定的性能。

低 RDS(on) 对我的设计有何意义？


较低的 RDS（on）值可最大限度地减少传导损耗，促进能源的高效利用和有效的热管理，这对大电流应用至关重要。

它能用于脉冲应用吗？


是的，它的设计支持脉冲电流处理，因此适用于需要瞬态响应的各种应用。

安装时应考虑哪些因素？


必须确保适当的热管理，并验证与电路电压和电流规格的兼容性，以优化性能。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。