Sanyo N沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 6.5 A, CPH, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 545-645
- 制造商零件编号:
- CPH3442-TL-E
- 制造商:
- 三洋
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.55 | RMB22.75 |
| 25 - 95 | RMB3.13 | RMB15.65 |
| 100 - 245 | RMB2.93 | RMB14.65 |
| 250 - 995 | RMB2.80 | RMB14.00 |
| 1000 + | RMB2.22 | RMB11.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-645
- 制造商零件编号:
- CPH3442-TL-E
- 制造商:
- 三洋
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | 三洋 | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 31 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1.2 W | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16.1 nC @ 4 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 三洋 | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 31 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1.2 W | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
宽度 1.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 16.1 nC @ 4 V | ||
长度 2.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
不适用
N 沟道 MOSFET，Sanyo
MOSFET 晶体管、 Sanyo Semiconductor