Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, PSMN3R4-30BLE,118, PSMN3R4-30BLE系列

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制造商零件编号:
PSMN3R4-30BLE,118
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-263

系列

PSMN3R4-30BLE

安装类型

表面

引脚数目

3

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

9.7 mm

长度

14.8mm

标准/认证

IEC 60134

高度

4.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
采用 D2PAK 封装的 Nexperia 逻辑级 N 沟道 MOSFET 的合格温度为 175 °C。它的设计和认证适用于各种工业、通信和家用设备。它可用于电子保险丝、热插拔、负载开关和软启动等应用。

增强的正向偏压安全工作区可实现卓越的线性模式运行

极低的 Rdson,可降低传导损耗