Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=120 A, 3针, TO-263, PSMN3R4-30BLE系列
- RS 库存编号:
- 554-331
- 制造商零件编号:
- PSMN3R4-30BLE,118
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB13.09
(不含税)
RMB14.79
(含税)
有库存
- 751 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB13.09 |
| 10 - 24 | RMB12.43 |
| 25 - 99 | RMB11.82 |
| 100 - 499 | RMB11.21 |
| 500 + | RMB10.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 554-331
- 制造商零件编号:
- PSMN3R4-30BLE,118
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | PSMN3R4-30BLE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.1mm | |
| 宽度 | 9.7mm | |
| 标准/认证 | IEC 60134 | |
| 长度 | 14.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 PSMN3R4-30BLE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.1mm | ||
宽度 9.7mm | ||
标准/认证 IEC 60134 | ||
长度 14.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
采用 D2PAK 封装的 Nexperia 逻辑级 N 沟道 MOSFET 的合格温度为 175 °C。它的设计和认证适用于各种工业、通信和家用设备。它可用于电子保险丝、热插拔、负载开关和软启动等应用。
增强的正向偏压安全工作区可实现卓越的线性模式运行
极低的 Rdson，可降低传导损耗
相关链接
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, PSMN4R3-30BL,118
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 265 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R1-30YLEX, PSMN1R1-30YLE系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, PSMN1R7-60BS,118
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, PSMN4R6-60BS,118
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, PSMN4R3-30PL,127
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN3R0-30YLDX, PSM系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 300 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN0R9-30YLDX, NextPowerS3系列