Toshiba P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 13 A, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
582-476
制造商零件编号:
TPC8118(TE12L,Q)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

P

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

30 V

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

7 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2V

最大功率耗散

1900 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

56 nC @ 10 V

最高工作温度

+150°C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

高度

1.5mm

最低工作温度

-55°C

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET P 通道，TPC 系列，Toshiba



MOSFET 晶体管，Toshiba