Microchip , 1 P-通道, N 沟道 独立 N 沟道与 P 沟道 Mosfet 增强型 MOSFET 阵列, 2.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TC2320系列, TC2320TG-G
- RS 库存编号:
- 598-027
- 制造商零件编号:
- TC2320TG-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥47,285.70
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB14.329 | RMB47,285.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-027
- 制造商零件编号:
- TC2320TG-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 槽架类型 | P-通道, N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.1A | |
| 系列 | TC2320 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 独立 N 沟道与 P 沟道 Mosfet | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
槽架类型 P-通道, N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.1A | ||
系列 TC2320 | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 独立 N 沟道与 P 沟道 Mosfet | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Certificate of Compliance | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
8 引线 SOIC 封装中的 Microchip 高电压、低门槛 N 通道和 P 通道 MOSFET 是增强模式 (正常关闭) 晶体管,利用先进的垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造过程。此组合可提供双极晶体管的功率处理功能,同时保持高输入阻抗和正温度系数,这是典型的 MOS 设备。与所有 MOS 结构一样,该设备无热逃生和热电感应二级故障,可确保可靠的性能。
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
无二次击穿