Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=500 V, 350 mA, TO-252 (D-PAK-3), 表面安装, 3引脚, DN2535N5-G
- RS 库存编号:
- 598-063
- 制造商零件编号:
- DN2535N5-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 盒，共 300 件）*
¥3,731.10
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单位 | 每单位 | Per Box* |
|---|---|---|
| 300 + | RMB12.437 | RMB3,731.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-063
- 制造商零件编号:
- DN2535N5-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N 沟道 DMOS FET | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-252 (D-PAK-3) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 耗尽模式 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| 长度 | 4.4mm | |
| 高度 | 2.29mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N 沟道 DMOS FET | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-252 (D-PAK-3) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 耗尽模式 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
长度 4.4mm | ||
高度 2.29mm | ||
宽度 3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchip 低门槛耗尽模式晶体管使用先进的垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造过程。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种开关和放大应用。
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低导通电阻
无二次故障
低输入和输出泄漏