Microchip , 1 P-通道, N 沟道 互补对 增强型 MOSFET 阵列, Vds=200 V, 2 A, VDFN, 表面安装, 8引脚, TC6320系列, TC6320K6-G
- RS 库存编号:
- 598-279
- 制造商零件编号:
- TC6320K6-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥42,378.60
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB12.842 | RMB42,378.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-279
- 制造商零件编号:
- TC6320K6-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | P-通道, N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | VDFN | |
| 系列 | TC6320 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 晶体管配置 | 互补对 | |
| 标准/认证 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 高度 | 1.35mm | |
| 长度 | 0.40mm | |
| 宽度 | 0.31 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 P-通道, N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 VDFN | ||
系列 TC6320 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
晶体管配置 互补对 | ||
标准/认证 RoHS Certificate of Compliance | ||
高度 1.35mm | ||
长度 0.40mm | ||
宽度 0.31 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Microchip 高电压、低门槛 N 通道和 P 通道 MOSFET 采用 8 引线 VDFN 和 SOIC 封装,具有集成门到源电阻器和门到源齐纳二极管夹,使其特别适用于高电压脉冲器应用。此互补、高速、高电压、门夹紧 N 通道和 P 通道 MOSFET 对使用先进的垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。该组合提供双极晶体管的功率处理功能,以及典型的 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。与所有 MOS 结构一样,这些设备不会发生热逃离和热诱导的次级故障。
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
无二次击穿
低输入和输出泄漏