Microchip , 1 双N沟道 双 N 沟道 增强型 MOSFET 阵列, Vds=240 V, 2.8 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TD9944系列, TD9944TG-G
- RS 库存编号:
- 598-332
- 制造商零件编号:
- TD9944TG-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥45,500.40
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¥51,414.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB13.788 | RMB45,500.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-332
- 制造商零件编号:
- TD9944TG-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 240V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | TD9944 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 宽度 | 3.9 mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.8A | ||
最大漏源电压 Vd 240V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 TD9944 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
晶体管配置 双 N 沟道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 4.9mm | ||
标准/认证 RoHS Certificate of Compliance | ||
宽度 3.9 mm | ||
高度 1.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 双 N 通道增强模式垂直 MOSFET 使用 Supertex 经过验证的硅门制造过程。此组合提供与双极晶体管类似的功率处理功能,以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数特征。与所有 MOS 结构一样,此设备无热逃生和热诱导二级故障,即使在要求严苛的环境中也可确保可靠的性能。
高输入阻抗
快速切换速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏