Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 450 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, TN0104N3-G
- RS 库存编号:
- 598-554
- 制造商零件编号:
- TN0104N3-G
- 制造商:
- Microchip
N
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- 598-554
- 制造商零件编号:
- TN0104N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N 沟道垂直 DMOS FET | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 450mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 4.2mm | |
| 宽度 | 4.2 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 450mA | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-92-3 (TO-226AA) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.3mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 4.2mm | ||
宽度 4.2 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip N 通道增强模式垂直低门槛晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅门制造过程构建。此设计将双极晶体管的功率处理功能与 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数结合在一起。像所有 MOS 结构一样,此设备无热逃生和热诱导二级故障。
快速切换速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏