Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=90 V, 350 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, VP3203N8-G
- RS 库存编号:
- 598-595
- 制造商零件编号:
- VP3203N8-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥20,548.00
(不含税)
¥23,220.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB10.274 | RMB20,548.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-595
- 制造商零件编号:
- VP3203N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道垂直 DMOS FET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 90V | |
| 包装类型 | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 4.19 mm | |
| 长度 | 5.08mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 90V | ||
包装类型 TO-92-3 (TO-226AA) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.33mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 4.19 mm | ||
长度 5.08mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip P 通道增强模式垂直 MOSFET 是低门槛、正常关闭的晶体管,利用垂直 DMOS 结构和 Supertex 经验证的硅门制造过程。此组合提供双极晶体管的功率处理功能,以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。与所有 MOS 结构一样,此设备无热逃生和热感应二级故障,可确保坚固可靠的性能。
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
高输入阻抗和高增益
出色的热稳定性