Microchip N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=250 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, DN2625K4-G, DN2625系列
- RS 库存编号:
- 598-727
- 制造商零件编号:
- DN2625K4-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥20,436.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB10.218 | RMB20,436.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-727
- 制造商零件编号:
- DN2625K4-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | DN2625 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 DN2625 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 消耗 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchip 低门槛耗尽模式晶体管使用先进的垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造过程。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种开关和放大应用。
非常低的门门门槛电压
设计用于源驱动
低开关损耗
低有效输出电容
设计用于电感负载