制造商编号

Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=250 V, Id=1.1 A, 3针, TO-252, DN2625系列

RS 库存编号:: 598-727
制造商零件编号:: DN2625K4-G
制造商:: Microchip

Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=250 V, Id=1.1 A, 3针, TO-252, DN2625系列

小计（1 卷，共 2000 件）*

RMB25,684.00

(不含税)

RMB29,022.00

在 2027年5月06日发货

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单位	每单位	每卷*
2000 +	RMB12.842	RMB25,684.00

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RS 库存编号:: 598-727
制造商零件编号:: DN2625K4-G
制造商:: Microchip

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	1.1A
	最大漏源电压 Vd	250V
	包装类型	TO-252
	系列	DN2625
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	通道模式	耗尽
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Microchip
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 1.1A
	最大漏源电压 Vd 250V
	包装类型 TO-252
	系列 DN2625
	安装类型表面
	引脚数目 3
	通道模式耗尽
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - DN2625K4-G

COO (Country of Origin):: CN

Microchip 低门槛耗尽模式晶体管使用先进的垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造过程。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种开关和放大应用。

非常低的门门门槛电压

设计用于源驱动

低开关损耗

低有效输出电容

设计用于电感负载

Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=250 V, Id=1.1 A, 3针, TO-252, DN2625系列

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