Microchip , 1 P-通道, N 沟道 两对 N 沟道和 P 沟道 增强型 MOSFET 阵列, Vds=200 V, 2.3 A, DFN, 表面安装, 12引脚, TC8220系列, TC8220K6-G
- RS 库存编号:
- 598-776
- 制造商零件编号:
- TC8220K6-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥62,007.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB18.79 | RMB62,007.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-776
- 制造商零件编号:
- TC8220K6-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 槽架类型 | P-通道, N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | TC8220 | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 两对 N 沟道和 P 沟道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 4mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
槽架类型 P-通道, N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.3A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 TC8220 | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 两对 N 沟道和 P 沟道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Certificate of Compliance | ||
高度 1mm | ||
长度 4mm | ||
宽度 4 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchip 高电压、低门槛 N 通道和 P 通道 MOSFET 采用 12 引线 DFN 封装,具有集成门到源电阻器和门到源齐纳二极管夹,特别适用于高电压脉冲器应用。这些互补的高速、高电压、门夹紧 N 通道和 P 通道 MOSFET 对使用先进的垂直 DMOS 结构以及 Supertex 经验证的硅门制造工艺。此组合提供双极晶体管的功率处理功能,同时还提供典型的 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。
集成栅极至源电阻器
集成门到源齐纳二极管
低门槛,低接通电阻
低输入和输出电容
快速切换速度