Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=9 V, 350 mA, SOT-23-5, 表面安装, 5引脚, LND150N3-G-P003
- RS 库存编号:
- 599-150
- 制造商零件编号:
- LND150N3-G-P003
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥9,732.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB4.866 | RMB9,732.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 599-150
- 制造商零件编号:
- LND150N3-G-P003
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 DMOS FET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 9V | |
| 包装类型 | SOT-23-5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 耗尽模式 | |
| 最低工作温度 | -25°C | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 宽度 | 1.75 mm | |
| 标准/认证 | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 DMOS FET | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 9V | ||
包装类型 SOT-23-5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 耗尽模式 | ||
最低工作温度 -25°C | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 125°C | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3.05mm | ||
宽度 1.75 mm | ||
标准/认证 ISO/TS‑16949, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip 高电压 N 通道耗尽模式 (正常接通) 晶体管使用侧面 DMOS 技术。栅极具有 ESD 保护功能。LND150 特别适用于常开开关、精密恒定电流源、电压斜坡生成和放大领域的高电压应用。
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
出色的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和低 CISS
ESD 栅极保护