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STMicroelectronics , 6 N型沟道三相全桥拓扑增强型 MOSFET 阵列, Vds=1200 V, 30 A, ACEPACK DMT-32, 通孔安装, 32引脚, M2P45M12W2系列,

RS 库存编号:: 640-673
制造商零件编号:: M2P45M12W2-1LA
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics , 6 N型沟道三相全桥拓扑增强型 MOSFET 阵列, Vds=1200 V, 30 A, ACEPACK DMT-32, 通孔安装, 32引脚, M2P45M12W2系列,

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制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET 阵列
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	ACEPACK DMT-32
	系列	M2P45M12W2
	安装类型	通孔
	引脚数目	32
	最大漏源电阻 Rd	60.5mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	100nC
	正向电压 Vf	2.5V
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	三相全桥拓扑
	标准/认证	AQG 324, Automotive‐grade
	高度	5.90mm
	长度	44.50mm
	每片芯片元件数目	6
	汽车标准	AQG 324

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET 阵列
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 ACEPACK DMT-32
	系列 M2P45M12W2
	安装类型通孔
	引脚数目 32
	最大漏源电阻 Rd 60.5mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC
	正向电压 Vf 2.5V
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置三相全桥拓扑
	标准/认证 AQG 324, Automotive‐grade
	高度 5.90mm
	长度 44.50mm
	每片芯片元件数目 6
	汽车标准 AQG 324

Datasheet - M2P45M12W2-1LA

COO (Country of Origin):: CN

采用ACEPACK DMT-32封装的STMicroelectronics汽车级电源模块。它采用第二代碳化硅 (SiC) MOSFET实现了六组拓扑结构，并针对混合动力和电动汽车车载充电器 (OBC) 的DC/DC转换器级进行了优化。其设计支持高效率和高频开关，集成有用于温度监测的NTC热敏电阻，并采用氮化铝 (AlN) 隔热基材，具有卓越的热性能。

用于高压应用的1200V阻断电压

典型RDS(on)为47.5mΩ，可降低传导损耗

最高结温为175°C，确保热稳定性

DBC铜-铝-铜基材，用于高效散热

3kV隔离电压，可提高安全性

一体式NTC传感器，提供实时热反馈

STMicroelectronics , 6 N型沟道 三相全桥拓扑 增强型 MOSFET 阵列, Vds=1200 V, 30 A, ACEPACK DMT-32, 通孔安装, 32引脚, M2P45M12W2系列,

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