STMicroelectronics , 6 N型沟道 三相全桥拓扑 增强型 MOSFET 阵列, Vds=1200 V, 30 A, ACEPACK DMT-32, 通孔安装, 32引脚, M2P45M12W2系列,
- RS 库存编号:
- 640-673
- 制造商零件编号:
- M2P45M12W2-1LA
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | ACEPACK DMT-32 | |
| 系列 | M2P45M12W2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 32 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 100nC | |
| 正向电压 Vf | 2.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 晶体管配置 | 三相全桥拓扑 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 44.50mm | |
| 宽度 | 27.90 mm | |
| 标准/认证 | AQG 324, Automotive‐grade | |
| 高度 | 5.90mm | |
| 每片芯片元件数目 | 6 | |
| 汽车标准 | AQG 324 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 ACEPACK DMT-32 | ||
系列 M2P45M12W2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 32 | ||
最大漏源电阻 Rd 60.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC | ||
正向电压 Vf 2.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
晶体管配置 三相全桥拓扑 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 44.50mm | ||
宽度 27.90 mm | ||
标准/认证 AQG 324, Automotive‐grade | ||
高度 5.90mm | ||
每片芯片元件数目 6 | ||
汽车标准 AQG 324 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用ACEPACK DMT-32封装的STMicroelectronics汽车级电源模块。它采用第二代碳化硅 (SiC) MOSFET实现了六组拓扑结构，并针对混合动力和电动汽车车载充电器 (OBC) 的DC/DC转换器级进行了优化。其设计支持高效率和高频开关，集成有用于温度监测的NTC热敏电阻，并采用氮化铝 (AlN) 隔热基材，具有卓越的热性能。
用于高压应用的1200V阻断电压
典型RDS(on)为47.5mΩ，可降低传导损耗
最高结温为175°C，确保热稳定性
DBC铜-铝-铜基材，用于高效散热
3kV隔离电压，可提高安全性
一体式NTC传感器，提供实时热反馈