ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-20 V, DFN1616-6W, 表面安装, 8引脚, RV4系列
- RS 库存编号:
- 646-539P
- 制造商零件编号:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- 制造商:
- ROHM
N
可享批量折扣
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
¥241.70
(不含税)
¥273.10
(含税)
有库存
- 100 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 240 | RMB2.417 |
| 250 - 990 | RMB2.176 |
| 1000 - 4990 | RMB1.765 |
| 5000 + | RMB1.715 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-539P
- 制造商零件编号:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 包装类型 | DFN1616-6W | |
| 系列 | RV4 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±8 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 1.70 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
包装类型 DFN1616-6W | ||
系列 RV4 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±8 V | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.7mm | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 1.70 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM P 通道 20 V 6 A 小信号金属氧化物半导体场效应晶体管，经过 100% 非钳位感性载荷开关测试，带有支持自动光学检测的可润湿侧翼，并具有 130 微米电极部件保证。
低导通电阻
小型高功率封装
低电压驱动 (1.5V)