ROHM N沟道增强型单MOSFET, Vds=100 V, Id=36 A, 3针, TO-252, RD3系列
- RS 库存编号:
- 646-544P
- 制造商零件编号:
- RD3P04BBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-544P
- 制造商零件编号:
- RD3P04BBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | RD3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 长度 | 10.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 RD3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.1nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.8mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
长度 10.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM P 通道 100 V 36 A 功率金属氧化物半导体场效应晶体管，采用无铅电镀工艺，并符合有害物质限制标准。该部件经过 100% 雪崩测试。
低导通电阻
AEC-Q101 认证