ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, MPT3, 表面安装, 3引脚, R2P系列
- RS 库存编号:
- 646-553P
- 制造商零件编号:
- R2P020N06HZGT100
- 制造商:
- ROHM
N
可享批量折扣
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
¥246.70
(不含税)
¥278.80
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 240 | RMB2.467 |
| 250 - 990 | RMB2.216 |
| 1000 - 4990 | RMB1.805 |
| 5000 + | RMB1.755 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-553P
- 制造商零件编号:
- R2P020N06HZGT100
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | R2P | |
| 包装类型 | MPT3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 240mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 4.30mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 宽度 | 4.70 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 R2P | ||
包装类型 MPT3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 240mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 4.30mm | ||
高度 1.6mm | ||
宽度 4.70 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM N 通道 60 V 2 A 中功率金属氧化物半导体场效应晶体管，采用低导通电阻，支持 2.5 V 低电压驱动操作。
AEC-Q101 认证