ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET 阵列, Vds=100 V, 12.5 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8KE6系列, HT8KE6HTB1
- RS 库存编号:
- 646-615
- 制造商零件编号:
- HT8KE6HTB1
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.337 | RMB63.37 |
| 100 - 490 | RMB5.575 | RMB55.75 |
| 500 - 990 | RMB5.004 | RMB50.04 |
| 1000 + | RMB3.961 | RMB39.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-615
- 制造商零件编号:
- HT8KE6HTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HT8KE6 | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 14W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HT8KE6 | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.3nC | ||
最大功耗 Pd 14W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率小模制封装,适用于开关和电动机驱动应用。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
100% Rg 和 UIS 测试