ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, 68 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, AG502EGD3HRBTL, AG502EG系列

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646-617
制造商零件编号:
AG502EGD3HRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

68A

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

TO-252

系列

AG502EG

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

13.1mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

77W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48.0nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM 汽车级 MOSFET 符合 AEC-Q101 认证。特别适用于汽车系统。这些 MOSFET 经过 100% 风暴测试。

低导通电阻

无镀锌镀层

符合 RoHS 标准