ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 230 A, DFN5060-8S, 表面安装, 8引脚, RS7N200BHTB1, RS7N200系列
- RS 库存编号:
- 646-622
- 制造商零件编号:
- RS7N200BHTB1
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB23.965 | RMB47.93 |
| 20 - 98 | RMB21.11 | RMB42.22 |
| 100 - 198 | RMB18.95 | RMB37.90 |
| 200 + | RMB14.99 | RMB29.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-622
- 制造商零件编号:
- RS7N200BHTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | RS7N200 | |
| 包装类型 | DFN5060-8S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 92.0nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 180W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | Halogen Free, Pb Free, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 230A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 RS7N200 | ||
包装类型 DFN5060-8S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 92.0nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 180W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 Halogen Free, Pb Free, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于开关、电动机驱动和直流/直流转换器。
无镀锌镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
100% Rg 和 UIS 测试