STMicroelectronics N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 39 A, PowerFLAT, 表面安装, 5引脚, ST8L60N065DM9, ST8L60系列
- RS 库存编号:
- 648-108
- 制造商零件编号:
- ST8L60N065DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 648-108
- 制造商零件编号:
- ST8L60N065DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 39A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | ST8L60 | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 202W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 8.10 mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.10mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 39A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 ST8L60 | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 202W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 8.10 mm | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.10mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超接合 MDmesh DM9 技术,适用于中/高电压 MOSFET,每个区域具有非常低的 RDS(on),配合快速恢复二极管。硅基 DM9 技术受益于多漏极制造工艺，可增强设备结构。快速恢复二极管具有非常低的恢复电荷 (Qrr)、时间 (trr) 和 RDS(on),使此快速切换超接合功率 MOSFET 适用于最苛刻的高效桥接拓扑和 ZVS 相位转换器。
低门充电
低输入电容和电阻
100% 通过雪崩测试
出色的开关性能
PowerFLAT 8x8 HV 封装
符合 RoHS 标准