onsemi N沟道增强型单MOSFET, Vds=40 V, Id=195 A, 5针, DFNW-5, NVM系列

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包装方式：
RS 库存编号:
648-511
制造商零件编号:
NVMFWS1D3N04XMT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

单MOSFET

最大连续漏极电流 Id

195A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFNW-5

系列

NVM

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

1.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38.6nC

最大功耗 Pd

90W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

800mV

最高工作温度

175°C

长度

4.9mm

高度

1mm

宽度

5.9mm

标准/认证

RoHS, Pb-Free

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
ON Semiconductor 汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引线封装,设计用于紧凑且高效的设计,包括高热性能。提供可通风侧面选项,用于增强光学检查。AEC-Q101 认证 MOSFET 和 PPAP 功能,适用于汽车应用。

小尺寸

低导通电阻 RDS(on)

低 QG 和电容

可通风凹槽选件

符合 RoHS 标准

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